В России создали программу обучения для производителей микросхем NAND-памяти

Проект направлен на замещение иностранных микросхем отечественными аналогами, сообщили в пресс-службе "Роснано"

Воронежский гостехуниверситет подготовил программу повышения квалификации инженеров - разработчиков интегральных микросхем NAND-памяти (одна из разновидностей флеш-памяти). Как сообщили в среду ТАСС в пресс-службе "Роснано", проект направлен на замещение иностранных микросхем отечественными аналогами.

"Воронежский государственный технический университет при поддержке Фонда инфраструктурных и образовательных программ [группа "Роснано"] подготовил образовательную программу повышения квалификации специалистов в области разработки и производства интегральных микросхем NAND-памяти по технологии трехмерного многокристального корпусирования [3D]", - сообщили в пресс-службе.

Образовательная программа предназначена для подготовки инженеров-конструкторов, инженеров - технологов сборки и корпусирования, инженеров-схемотехников и инженеров - тестировщиков 2.5D/3D интегральных микросхем NAND-памяти, рассказали в пресс-службе. "Курс поможет специалистам освоить механизмы чтения записей и стирания в ячейках памяти NAND, а также ознакомит с основными моментами архитектуры микросхем 2.5D и 3D интегральных схем", - привела пресс-служба пояснение доцента кафедры радиоэлектронных устройств и систем ВГТУ Сергея Федорова.

"На российском рынке микросхем памяти доминируют иностранные производители. И одной из актуальных задач программы развития отечественной радиоэлектронной промышленности является необходимость массового производства собственных интегральных схем", - процитировала пресс-служба замдиректора образовательных проектов и программ Фонда инфраструктурных и образовательных программ Станислава Нисимова.

По информации пресс-службы, первыми обучение по программе повышения квалификации пройдут специалисты индустриального партнера программы - центра разработки и производства микроэлектроники GS Nanotech, работающего в составе инновационного кластера "Технополис GS" в городе Гусеве (Калининградская область). Партнерами при создании программы стали также Воронежский институт высоких технологий и Петрозаводский государственный университет.

"Интегральные микросхемы NAND-памяти по технологии 2.5D или 3D необходимы там, где требуются плоские корпуса малого размера и малой потребляемой мощности. Например, в мобильной электронике", - привели в пресс-службе "Роснано" слова доцента кафедры полупроводниковой электроники и наноэлектроники Воронежского гостехуниверситета Геннадия Липатова.